Nd: YVO4 Crystal
Nd: Yvo4 (Neodimioz dopatutako Yttrium Vanadatoa) diodoekin ponpatutako egoera solidoko laserretako material komertzial onena da, batez ere potentzia dentsitate baxua edo ertaina duten laserra. Adibidez, Nd: YVO4 Nd: YAG baino aukera hobea da eskuko erakusleetan edo bestelako laserra trinkoetan potentzia txikiko habeak sortzeko. Aplikazio hauetan, Nd: YOV4 Nd: YAG aldean abantaila batzuk ditu. Adibidez, ponpatutako laser irradiazioaren xurgapen handia eta estimulatutako emisioen sekzio handia.
Nd: Yvo4 Aukera ona da irteera oso polarizatua 1342 nm-tan, emisio-lerroa bere alternatibak baino askoz ere indartsuagoa baita. Nd: Yvo4 gai da NLO koefiziente handiko (LBO, BBO, KTP) kristal ez lineal batzuekin lan egiteko, infragorritik gertu, berde, urdin edo UV ere.
Jar zaitez gurekin harremanetan Nd: YVO aplikazioaren irtenbide onena lortzeko4 kristalak.
WISOPTIC Gaitasunak - Nd: YVO4
• Nd-doping ratioaren aukera ugari (% 0,1 ~% 3,0at)
• Hainbat neurri (diametro maximoa: 16 × 16 mm.)2; luzera maximoa: 20 mm)
• Hainbat estaldura (AR, HR, HT)
• Prozesatzeko zehaztasun handia
• Oso prezio lehiakorra, entrega azkarra
WISOPTIC arau zehaztapenak* - Nd: YVO4
| Dopaje-ratioa | Nd% =% 0,2 ~ 3.0at% |
| Orientazio Tolerantzia | +/- 0,5 ° |
| irekiera | 1 × 1 mm2~ 16 × 16 mm2 |
| Luzera | 0,02 mm ~ 20 mm |
| Neurrien tolerantzia | (W ± 0.1mm) × (H ± 0.1mm) × (L + 0.5 / -0.1mm) (L≥2.5mm) (W ± 0.1 mm) × (H ± 0.1mm) × (L + 0.2 / -0.1mm) (L <2.5mm) |
| flatness | <λ / 8 @ 632.8 nm (L≥2.5mm) <λ / 4 @ 632.8 nm (L <2.5mm) |
| Azaleraren kalitatea | <20/10 [S / D] |
| paralelismo | <20 " |
| perpendicularity | ≤ 5 ' |
| alakaren | ≤ 0,2 mm @ 45 ° |
| Uhin-muturreko distortsioa | <λ / 4 @ 632.8 nm |
| Apertura garbitu | >% 90eko erdialdea |
| estaldura | AR @ 1064nm, R <% 0,1 eta HT @ 808nm, T>% 95; HR @ 1064nm, R>% 99,8 eta HT @ 808nm, T>% 95; HR @ 1064nm, R>% 99,8, HR @ 532 nm, R>% 99 eta HT @ 808 nm, T>% 95 |
| Laser kaltetuen atalasea | > 700 MW / cm2 1064nm, 10ns, 10Hz (AR-estalita) |
| * Eskaera berezia duten produktuak. | |
Nd abantailak: YVO4 (Nd: YAG-rekin alderatuta)
• 808 nm inguruko banda zabalera handitzea (5 aldiz baino handiagoa Nd: YAG)
• Emisioaren atal estimulatu handiena 1064nm-tan (Nd-rena baino 3 aldiz handiagoa da)
• Laser kalteen atalasea eta malda eraginkortasun txikiagoa
• Ezberdina Nd: YAG, Nd: YVO4 kristal uniaxiala da, linealki polarizatutako emisioa ematen duena, termikoki eragindako birefringentzia saihestuz.
Nd-ren laser propietateak: YVO4 vs Nd: YAG
|
Crystal |
Dopina (atm%) |
σ |
α (cm.)-1) |
τ (μs) |
Lα (Mm) |
Pgarren (MW) |
ηs (%) |
|
Nd: Yvo4 |
1.0 |
25 |
31,2 |
90 |
0.32 |
30 |
52 |
|
2.0 |
25 |
72,4 |
50 |
0.14 |
78 |
48,6 |
|
|
Nd: Yvo4 |
1.1 |
7 |
9.2 |
90 |
- |
231 |
45,5 |
|
Nd: YAG |
0,85 |
6 |
7.1 |
230 |
1.41 |
115 |
38,6 |
| σ - estimulatutako emisioen zeharkakoa, α - xurgapen koefizientea, τ - bizitza fluoreszenteak Lα - xurgapenaren luzera, Pgarren - potentzia atalasea, ηs - ponpa eraginkortasun kuantikoa |
|||||||
Ezaugarri fisikoak - Nd: YVO4
| Dentsitate atomikoa | 1.26x1020 Atomo / cm2 (Nd% =% 1,0) |
| Kristal egitura | Zirkon tetragonala, D multzoa4 h-I4 / amd a = b = 7.1193 Å, c = 6.2892 Å |
| dentsitatea | 4,22 g / cm2 |
| Mohs gogortasuna | 4,6 ~ 5 (beira bezalakoa) |
| Hedapen termikoaren koefizientea (300K) | αa= 4.43x10-6/ K, αc= 11.37x10-6/ K |
| Eroankortasun koefizientea (300K) | || c: 5,23 W / (m · K); ⊥c: 5,10 W / (m · K) |
| Urtze puntua | 1820 ℃ |
Propietate optikoak - Nd: YVO4
| Uhin luzeraren luzera | 914 nm, 1064 nm, 1342 nm |
| Errefrakzio indizeak | uniaxial positiboa, no= na= nb ne= nc no= 1.9573, ne= 2.1652 @ 1064 nm no= 1.9721, ne= 2.1858 @ 808 nm no= 2.0210, ne= 2.2560 @ 532 nm |
| Koefiziente termiko optikoa (300K) | dno/dT=8.5x10-6/ K, dne/dT=3.0x10-6/ K |
| Emisioaren atal estimulatua | 25.0x10-19 cm2 @ 1064 nm |
| Bizitza fluoreszenteak | 90 μs (% 1,0 Nd dopatuta) @ 808 nm |
| Xurgapen koefizientea | 31,4 cm-1 @ 808 nm |
| Xurgapenaren luzera | 0,32 mm @ 808 nm |
| Galera intrinsikoa | 0,02 cm-1 @ 1064 nm |
| Irabazteko banda zabalera | 0,96 nm (257 GHz) @ 1064 nm |
| Laser emisio polarizatua | ardatz optikoarekiko paraleloa (c ardatza) |
| Diodoa eraginkortasun optikoa lortzeko | >% 60 |
|
Emisio polarizatua |
polarizatua |
