Lantano galio silikatoa (La₃Ga₅SiO₁₄, LGS) kristala hiruko kristal sistemari dagokio, 32 puntu-taldeari, espazio-taldeari. P₃₂₁ (150. zenbakia). LGS-k efektu ugari ditu, hala nola piezoelektrikoa, elektro-optikoa, biraketa optikoa, eta laser material gisa ere erabil daiteke dopinaren bidez. 1982an, Kaminskyet al. LGS dopatutako kristalen hazkundea jakinarazi zuen. 2000. urtean, 3 hazbeteko diametroa eta 90 mm-ko luzera zuten LGS kristalak garatu zituzten Uda eta Buzanov-ek.

LGS kristala material piezoelektriko bikaina da ebaketa motako zero tenperatura koefizientearekin. Baina aplikazio piezoelektrikoetatik ezberdina den, Q-switching elektrooptikoko aplikazioek kristal kalitate handiagoa eskatzen dute. 2003an, Konget al. arrakastaz hazi ziren LGS kristalak akats makroskopiko nabaririk gabe Czochralski metodoa erabiliz, eta hazkuntza-atmosferak kristalen koloreari eragiten diola aurkitu zuen. LGS kristal koloregabeak eta grisak eskuratu zituzten eta LGS EO Q-switch bihurtu zuten 6,12 mm × 6,12 mm × 40,3 mm-ko tamainarekin. 2015ean, Shandong Unibertsitateko ikerketa talde batek arrakastaz hazi zituen LGS kristalak 50 ~ 55 mm-ko diametroa, 95 mm-ko luzera eta 1100 g-ko pisua makro-akats nabaririk gabe.

2003an, Shandong Unibertsitateko goian aipatutako ikerketa-taldeak laser izpiak bi aldiz LGS kristaletik igarotzen utzi eta uhin laurdeneko plaka bat sartu zuen biraketa efektu optikoari aurre egiteko, eta horrela konturatu zen LGS kristalaren biraketa optikoaren efektuaren aplikazioa. Lehen LGS EO Q-switch-a egin eta arrakastaz aplikatu zen laser sisteman.

2012an, Wang et al. 7 mm × 7 mm × 45 mm-ko tamaina duen LGS elektrooptiko Q-switch bat prestatu zuen, eta 2,09 μm pultsatuko laser izpiaren (520 mJ) irteteaz jabetu zen Cr,Tm,Ho:YAG laser sisteman ponpatutako flash-lanparan. . 2013an, 2,79 μm pultsatuko laser izpi (216 mJ) irteera lortu zen flash-lanpara ponpatutako Cr,Er:YSGG laserarekin, pultsu-zabalera 14,36 ns-arekin. 2016an, Maet al. 5 mm × 5 mm × 25 mm LGS EO Q etengailua erabili zuen Nd:LuVO4 laser sisteman, 200 kHz-eko errepikapen-tasa konturatzeko, hau da, gaur egun publikoki jakinarazitako LGS EO Q-switched laser sistemaren errepikapen-tasa handiena.

EO Q-switching material gisa, LGS kristalak tenperatura-egonkortasun ona eta kalte-atalase handia ditu, eta errepikapen maiztasun handian lan egin dezake. Hala ere, hainbat arazo daude: (1) LGS kristalaren lehengaia garestia da, eta ez dago aurrerapenik galioa aluminioarekin ordezkatzean, merkeagoa dena; (2) LGSren EO koefizientea nahiko txikia da. Eragiketa-tentsioa murrizteko nahikoa irekidura bermatzeko premisa, gailuaren kristalaren luzera linealki handitu behar da, eta horrek kostua handitzen du, txertatze-galera ere areagotzen du.

LGS Crystal – WISOPTIKA TEKNOLOGIA