1976an, Zumsteg et al. metodo hidrotermal bat erabili zuen rubidio titanil fosfatoa (RbTiOPO₄, RTP) kristala deitzen zaio. RTP kristala sistema ortorronbiko bat da, mm2 puntuko taldea, P_na21 espazio-taldea, koefiziente elektro-optiko handia, argiaren kaltearen atalase handia, eroankortasun baxua, transmisio-eremu zabala, ez-delikueszentea, txertatze-galera txikia ditu eta errepikapen maiztasun handiko lanetarako erabil daiteke (100 arte). kHz), etab. Eta ez da marka grisik egongo laser irradiazio indartsuaren azpian. Azken urteotan, Q-switches elektro-optikoak prestatzeko material ezaguna bihurtu da, batez ere errepikapen tasa handiko laser sistemetarako egokia..

RTP-ren lehengaiak urtzen direnean deskonposatzen dira, eta ezin dira hazi urtze-metodo konbentzionalen bidez. Normalean, fluxuak erabiltzen dira urtze-puntua murrizteko. Lehengaietan fluxu kantitate handia gehitzea dela eta, hori’Oso zaila da RTP haztea tamaina handiko eta kalitate handikoarekin. 1990ean Wang Jiyang-ek eta beste batzuek autozerbitzuaren fluxu metodoa erabili zuten 15eko RTP kristal bakar koloregabe, osatu eta uniformea ​​lortzeko. mm×44 mm×34 mm, eta bere errendimenduari buruzko azterketa sistematikoa egin zuen. 1992an Oseledchiket al. Autozerbitzuaren fluxu-metodo antzeko bat erabili zuen RTP kristalak hazteko 30eko tamainarekin mm×40 mm×60 mm eta laserren kalte-atalase altua. 2002an Kannan et al. MoO kopuru txiki bat erabili zuen₃ (0,002 mol%) goi-haziaren metodoaren fluxua 20 inguruko tamaina duten RTP kalitate handiko kristalak hazteko. mm. 2010ean Roth-ek eta Tseitlinek [100] eta [010] norabide-haziak erabili zituzten, hurrenez hurren, tamaina handiko RTP hazteko goi-haziaren metodoa erabiliz.

Prestaketa-metodoak eta propietate elektro-optikoak antzekoak diren KTP kristalekin alderatuta, RTP kristalen erresistentzia 2 eta 3 ordena handiagoa da (10⁸ Ω·cm), beraz, RTP kristalak EO Q aldatzeko aplikazio gisa erabil daitezke, kalte elektrolitiko arazorik gabe. 2008an Shaldinet al. goi-haziaren metodoa erabili zuen domeinu bakarreko RTP kristal bat hazteko 0,5 inguruko erresistentzia duena.×10¹² Ω·cm, oso onuragarria da irekiera argi handiagoa duten EO Q etengailuentzat. 2015ean Zhou Haitaoet al. jakinarazi zuen RTP kristalek a ardatzaren luzera 20 baino handiagoa dutela mm metodo hidrotermalaren bidez hazi ziren, eta erresistentzia 10ekoa zen¹¹~10¹² Ω·cm. RTP kristala biaxial kristala denez, LN kristalaren eta DKDP kristalaren desberdina da EO Q- switch gisa erabiltzen denean. Bikotean RTP bat 90 biratu behar da°argiaren norabidean birefringentzia naturala konpentsatzeko. Diseinu honek kristalaren beraren uniformitate optiko handia eskatzen du, baizik eta bi kristalen luzera ahalik eta hurbilen egotea eskatzen du, Q-switch-aren desagerpen-erlazio handiagoa lortzeko.

Bikain gisa EO Q-etengailuaing materialarekin errepikapen handiko maiztasuna, RTP kristalas tamainaren mugaren menpe haundientzat posible ez dena irekiera garbia (produktu komertzialen gehieneko irekiera 6 mm baino ez da). Hori dela eta, RTP kristalen prestaketa rekin tamaina handikoa eta kalitate handikoa baita ere bat etortzea teknika de RTP bikoteak oraindik behar kopuru handia ikerketa lana.